特許
J-GLOBAL ID:200903084399184023

熱型半導体赤外線撮像素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 大胡 典夫 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-069186
公開番号(公開出願番号):特開2001-257382
出願日: 2000年03月13日
公開日(公表日): 2001年09月21日
要約:
【要約】【課題】 高感度でかつ応答速度の速い熱型半導体赤外線撮像素子を提供すること。【解決手段】 感熱素子部101の活性領域104の底面と側面を高濃度p型領域105,106で構成することで形成され、少なくも感熱素子部101の上面が二酸化珪素層で覆われていることを特徴とする。
請求項(抜粋):
感熱素子部の活性領域の底面と側面を高濃度p型領域で構成することを特徴とするpn接合型の熱型半導体赤外線撮像素子。
IPC (7件):
H01L 35/00 ,  G01J 1/02 ,  G01J 5/02 ,  G01J 5/48 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/33 ,  H04N 5/335
FI (7件):
H01L 35/00 S ,  G01J 1/02 B ,  G01J 5/02 D ,  G01J 5/48 A ,  H04N 5/33 ,  H04N 5/335 U ,  H01L 31/10 A
Fターム (33件):
2G065AB02 ,  2G065BA02 ,  2G065BA12 ,  2G065BA13 ,  2G065BA34 ,  2G065CA12 ,  2G065DA20 ,  2G066BA01 ,  2G066BA04 ,  2G066BA09 ,  2G066BA13 ,  2G066BA55 ,  2G066BB07 ,  5C024AX06 ,  5C024CX41 ,  5C024CY47 ,  5C024GX07 ,  5C024GX08 ,  5C024GX16 ,  5F049MA02 ,  5F049MB03 ,  5F049NA01 ,  5F049NA03 ,  5F049NB05 ,  5F049NB07 ,  5F049PA10 ,  5F049PA14 ,  5F049QA20 ,  5F049RA02 ,  5F049RA08 ,  5F049SS03 ,  5F049SZ13 ,  5F049WA01
引用特許:
審査官引用 (2件)

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