特許

J-GLOBAL ID：200903084408347020

窒化物半導体装置及びその製造方法

発明者： 引田 正洋 ,  上田 哲三 ,  柳原 学 ,  上本 康裕 ,  田中 毅
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (11件)： 前田 弘 ,  竹内 宏 ,  嶋田 高久 ,  竹内 祐二 ,  今江 克実 ,  藤田 篤史 ,  二宮 克也 ,  原田 智雄 ,  井関 勝守 ,  関 啓 ,  杉浦 靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-267476
公開番号（公開出願番号）：特開2008-091392
出願日： 2006年09月29日
公開日（公表日）： 2008年04月17日
要約：

【課題】パワートランジスタに適用可能なノーマリオフ型の窒化物半導体装置に生じる電流コラプスを抑制できるようにする。【解決手段】窒化物半導体装置は、サファイアからなる基板11と、該基板11の上に形成されたGaNからなるチャネル層13と、該チャネル層13の上に形成され、該チャネル層13よりもバンドギャップエネルギーが大きいAlGaNからなるバリア層14と、該バリア層14の上に形成され、p型AlGaN層15及びp型GaN層16を含むp型窒化物半導体層と、該p型窒化物半導体層の上に形成されたゲート電極19と、該ゲート電極19の両側方の領域にそれぞれ形成されたソース電極17及びドレイン電極18とを有している。p型窒化物半導体層は、ゲート電極19の下側部分の厚さが該ゲート電極19の側方部分の厚さよりも大きい。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板の上に形成された第1の窒化物半導体層と、 前記第1の窒化物半導体層の上に形成され、前記第1の窒化物半導体層よりもバンドギャップエネルギーが大きい第2の窒化物半導体層と、 前記第2の窒化物半導体層の上に形成され、少なくとも1層のp型の窒化物半導体を含む第3の窒化物半導体層と、 前記第3の窒化物半導体層の上に形成されたゲート電極と、 前記ゲート電極の両側方の領域にそれぞれ形成されたソース電極及びドレイン電極とを備え、 前記第3の窒化物半導体層は、前記ゲート電極の下側部分の厚さが前記ゲート電極の側方部分の厚さよりも大きいことを特徴とする窒化物半導体装置。

IPC (2件)：

H01L 21/337 ,  H01L 29/808

FI (1件)：

H01L29/80 C

Fターム (17件)：

5F102FA02 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD04 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GV05 ,  5F102HA03 ,  5F102HC01

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-054330   出願人：株式会社東芝

審査官引用 (4件)

• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-054330   出願人：株式会社東芝
• 半導体素子およびその製造方法ならびに電力増幅器および無線通信装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-158164   出願人：ソニー株式会社
• 電界効果トランジスタおよびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-163507   出願人：NECエレクトロニクス株式会社
• 半導体装置とその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-210989   出願人：トヨタ自動車株式会社, 株式会社豊田中央研究所

引用文献：

審査官引用 (1件)

• ``Studies on the Influences of i-GaN, n-GaN, p-GaN and InGaN Cap Layers in AlGaN/GaN High-Electron-M