特許
J-GLOBAL ID：200903084425646022
光半導体レーザの製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-133186
公開番号（公開出願番号）：特開平8-330665
出願日： 1995年05月31日
公開日（公表日）： 1996年12月13日
要約：
【要約】【目的】 低閾値,高効率な単体の半導体レーザ及び光導波路デバイスを集積した半導体レーザの製造方法を提供する。【構成】 InP基板上に形成された一対のSiO2膜ストライプマスクにより挾まれた領域に有機金属気相成長法により活性層を含むダブルヘテロ層3をもつメサを選択成長させ、その後、SiO2膜4を堆積させ、次いでArイオンミリングにより全面エッチングしメサ斜面部5のSiO2膜を除去し、少なくともメサをフォトレジストにより覆い、メサ上以外のSiO2膜をウェットエッチングして除去することにより、電流ブロック層成長に必要な成長阻止マスクを形成し、選択成長で形成した活性層に良好な電流狭窄構造を設ける。
請求項（抜粋）：
メサ成長工程と、イオンミリング工程と、エッチング工程とを有する光半導体レーザの製造方法であって、メサ成長工程は、半導体基板上に有機金属気相成長法により活性層を含むダブルヘテロ層をもつメサを成長させる処理であり、イオンミリング工程は、半導体基板全面に絶縁層を形成した後、イオンミリングにより全面エッチングし、前記メサの斜面部に堆積した絶縁層を除去する処理であり、エッチング工程は、前記メサをフォトレジストにより覆い、該メサの頂部に絶縁層を残し、それ以外の絶縁層をエッチングにより除去する処理であることを特徴とする光半導体レーザの製造方法。
引用特許：
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