特許
J-GLOBAL ID:200903084439053334

積層型半導体装置及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (4件): 須山 佐一 ,  川原 行雄 ,  山下 聡 ,  須山 英明
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2005-325901
公開番号(公開出願番号):特開2007-134486
出願日: 2005年11月10日
公開日(公表日): 2007年05月31日
要約:
【課題】信頼性を向上させた上で、容易にかつ収率よく製造可能な積層型半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】積層型半導体装置1は、第1及び第2のインナーリード3,4を有している。第2のインナーリード4には、第1乃至第4の半導体チップ7,8,9,10が積層、配置されている。第1又は第2のボンディングワイヤ15,20が、それぞれ一括してワイヤリングするように第4の半導体チップ10から、第3乃至第1の半導体チップ9,8,7の各電極パッド13,12,11に形成されたスタッドバンプ19,18,17に中継されて、第1又は第2のインナーリード3,4上の各ボンディングパッド16,21にボンディングされている。【選択図】図1
請求項(抜粋):
ボンディングパッドを有する回路基材と、 前記回路基材上に実装され、第1の電極パッドを有する第1の半導体チップと、 前記第1の半導体チップ上に積層され、第2の電極パッドを有する第2の半導体チップと、 前記第1の電極パッド及び前記第2の電極パッドと前記ボンディングパッドとを電気的に接続する接続部であって、前記ボンディングパッド、前記第1の電極パッド及び前記第2の電極パッドを一括してワイヤリングするように連続してボンディングされたボンディングワイヤを有する接続部と、 前記第1の半導体チップ、前記第2の半導体チップ及び前記接続部を封止する封止樹脂と を具備することを特徴とする積層型半導体装置。
IPC (3件):
H01L 25/18 ,  H01L 25/07 ,  H01L 25/065
FI (1件):
H01L25/08 Z
引用特許:
出願人引用 (2件) 審査官引用 (3件)

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