特許
J-GLOBAL ID：200903084440516860

イメージセンサ及びその製造方法

発明者：
ホン、ジ ホ

ホン、ジ ホ について


出願人/特許権者：
ドンブ ハイテック カンパニー リミテッド

ドンブ ハイテック カンパニー リミテッド について


代理人 (1件)： 森下 賢樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-270929
公開番号（公開出願番号）：特開2008-306155
出願日： 2007年10月18日
公開日（公表日）： 2008年12月18日
要約：
【課題】本発明は、トランジスタ回路とフォトダイオードの垂直型集積を実現するイメージセンサ及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】本発明によるイメージセンサは、半導体基板の上に段差部を有するように形成されたピクセル領域及び周辺回路領域と、上記ピクセル領域と周辺回路領域との上に形成されたCMOS回路と、上記CMOS回路を含む前記ピクセル領域及び周辺回路領域の上に形成された層間絶縁膜と、上記層間絶縁膜を貫通して形成された金属配線及びパッドと、上記ピクセル領域の層間絶縁膜の上に形成されたフォトダイオードとを含み、上記フォトダイオードは、上記周辺回路領域の層間絶縁膜の表面と同一な高さで形成することを特徴とする。【選択図】図5
請求項（抜粋）：
半導体基板の上に段差部を有するように形成されたピクセル領域及び周辺回路領域と、 前記ピクセル領域と周辺回路領域との上に形成されたCMOS回路と、 前記CMOS回路を含む前記ピクセル領域及び周辺回路領域の上に形成された層間絶縁膜と、 前記層間絶縁膜を貫通して形成された金属配線及びパッドと、 前記ピクセル領域の層間絶縁膜の上に形成されたフォトダイオードとを含み、 前記フォトダイオードは、前記周辺回路領域の層間絶縁膜の表面と同一な高さで形成されたことを特徴とするイメージセンサ。
IPC (3件)：
H01L 27/146 ,  H01L 31/10 ,  H04N 5/335
FI (4件)：
H01L27/14 E ,  H01L31/10 D ,  H04N5/335 E ,  H04N5/335 U
Fターム (32件)：
4M118AB01 ,  4M118BA07 ,  4M118BA14 ,  4M118CA05 ,  4M118CA32 ,  4M118CB05 ,  4M118CB14 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA01 ,  4M118EA14 ,  4M118EA18 ,  4M118FA27 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CX41 ,  5C024GX03 ,  5C024GX07 ,  5C024GY31 ,  5F049MA04 ,  5F049MB05 ,  5F049NA20 ,  5F049NB03 ,  5F049RA04 ,  5F049RA08 ,  5F049RA10 ,  5F049SE02 ,  5F049SZ06 ,  5F049WA03
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (3件)

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