特許
J-GLOBAL ID：200903084450919785
電子線露光方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
平田 忠雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-351080
公開番号（公開出願番号）：特開2001-168013
出願日： 1999年12月10日
公開日（公表日）： 2001年06月22日
要約：
【要約】【課題】 半導体ウェハのチャージアップを反映した電子線位置ドリフト量による電子線の位置補正を可能にし、十分な重ね合わせの精度を得ることのできる電子線露光方法を提供する。【解決手段】 パターン露光の開始前にウェハ上の複数のアライメントマークA〜Dを検出して得た補正係数によりアライメントを行い(ステップ401,402)、その後、パターン露光を開始し、その過程で所定のタイミングによりアライメントマークA’を再度検出し(ステップ404)、露光前に検出したときとの位置(座標)の差を求めて電子線位置ドリフト量とし(ステップ405)、この電子線位置ドリフト量を電子線の偏向量に重畳して電子線の露光位置の補正を行う(ステップ406)。
請求項（抜粋）：
複数のアライメントマークが形成された半導体ウェハを所望の配線パターンに応じて電子線により偏向走査して露光を行う電子線露光方法において、露光開始の前に前記複数のアライメントマークの位置を検出してチップ配列の誤差を補正し、前記複数のアライメントマークの中から選択された特定アライメントマークの位置を前記露光開始の後の所定のタイミングで検出し、前記特定アライメントマークの前記所定のタイミングの位置と、前記特定アライメントマークの露光開始の前の位置との差に基づいて電子線位置ドリフト量を算出し、前記電子線位置ドリフト量を電子線の偏向量に重畳して露光位置の補正をして前記半導体ウェハの露光を行い、前記半導体ウェハの露光が終了するまで前記半導体ウェハの前記露光位置の補正に基づく露光を所定のタイミングで複数回繰り返して行うことを特徴とする電子線露光方法。
IPC (2件)：
H01L 21/027
, G03F 7/20 504
G03F 7/20 504
, H01L 21/30 541 D
2H097AA03
, 2H097CA16
, 2H097KA20
, 2H097KA29
, 2H097LA10
, 5F056BA08
, 5F056BD09
, 5F056CC04
