特許

J-GLOBAL ID：200903084527639110

半導体研磨装置

発明者： 新宮 克善 ,  安平 宣夫
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-335719
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201788
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】 ウェハ面内を均一な研磨レートで加工できる研磨装置を提供することを目的とする。【構成】 内圧を有した弾性体10を介してポリシャ9をシリコンウェハ1に加圧するとともに、ポリシャ9およびシリコンウェハ9をそれぞれ回転軸をずらして回転させることにより、均一な加工レートでシリコンウェハ1を平坦に研磨できる。

請求項（抜粋）：

微細加工がほどこされ凹凸が形成された被加工物を固定し、回転運動する機構と内圧を有した弾性体の表面に研磨布を取付けた研磨工具を回転運動させる機構を具備するとともに、それぞれの回転軸をずらした位置に配置させてなる半導体研磨装置。

IPC (3件)：

H01L 21/304 321 ,  B24B 29/00 ,  H01L 21/3205

引用特許：

審査官引用 (4件)

• デバイス付きウエーハのプラナリゼーシヨンポリツシング方法及びその装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-261472   出願人：土肥俊郎, 中川威雄, 河西敏雄, 不二越機械工業株式会社
• 研磨装置及びこれを用いた研磨方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-023035   出願人：住友金属工業株式会社
• 特開平2-312232
  
• 特開平2-312232