特許
J-GLOBAL ID：200903084536881519

導電性高分子の形成方法ならびに電解コンデンサの製造方法

発明者：
門田 敦志

門田 敦志 について

, 
小林 正明

小林 正明 について


出願人/特許権者：
TDK株式会社

TDK株式会社 について


代理人 (2件)： 三反崎 泰司 ,  藤島 洋一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-075353
公開番号（公開出願番号）：特開2005-268341
出願日： 2004年03月16日
公開日（公表日）： 2005年09月29日
要約：
【課題】 導電性高分子の導電率を可能な限り安定かつ容易に向上させることが可能な導電性高分子の形成方法を提供する。【解決手段】 主ドーパントを含むように導電性高分子前駆体を生成したのち、副ドーパントを含む洗浄液を使用して導電性高分子前駆体を洗浄することにより導電性高分子を形成する。この洗浄処理により、洗浄液中の副ドーパントが導電性高分子前駆体に追加ドープされるため、主ドーパントに加えて副ドーパントを含むように導電性高分子が形成される。しかも、洗浄処理時には、洗浄液に副ドーパントが含まれていることに基づき、導電性高分子前駆体にあらかじめドープされていた主ドーパントの流出(脱離)が抑制される。これにより、導電性高分子に対するドーパント(主ドーパント,副ドーパント)の定着性が高まるため、その導電性高分子のドーピング率が安定に向上する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
単量体に第1のドーパントを添加して重合させることにより、その第1のドーパントを含むように導電性高分子前駆体を生成する工程と、 第2のドーパントを含む洗浄液を使用して前記導電性高分子前駆体を洗浄することにより、導電性高分子を形成する工程と を含むことを特徴とする導電性高分子の形成方法。
IPC (1件)：
H01G9/028
FI (1件)：
H01G9/02 331H
引用特許：
出願人引用 (9件)
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審査官引用 (4件)
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