特許

J-GLOBAL ID：200903084574802312

半導体装置及び三相インバータ装置

発明者： 佐藤 邦和
出願人/特許権者： 株式会社豊田自動織機
代理人 (1件)： 大川 宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-159614
公開番号（公開出願番号）：特開2005-340639
出願日： 2004年05月28日
公開日（公表日）： 2005年12月08日
要約：

【課題】良好な放熱性及び高密度実装を可能としつつ、さらに製造工程の容易化を図ることが可能な半導体装置及び三相インバータ装置を提供する。【解決手段】半導体装置は、半導体素子モジュール1と、導電性放熱板2とを備える。そして、半導体素子モジュール1は、積層された複数の半導体素子D、Tと、複数の半導体素子D、Tの内側面の間に設けられ複数の半導体素子D、Tの内側面に電気的に接続された素子間導電体部3とを有する。また、導電性放熱板2は、半導体素子モジュール1を挟み込み複数の半導体素子D、Tの外側面に電気的に接続された一対の板部2a、2bと、一対の板部2a、2bを連結する連結部2cとを有する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

積層された複数の半導体素子と、前記複数の半導体素子の内側面の間に設けられ前記複数の半導体素子の内側面に電気的に接続された素子間導電体部と、を有する半導体素子モジュールと、 前記半導体素子モジュールを挟み込み前記複数の半導体素子のうち両端側に設けられた半導体素子の外側面に電気的に接続された一対の板部と、該一対の板部を連結する連結部と、を有する導電性放熱板と、 を備えたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L25/07 ,  H01L25/18 ,  H02M7/48

FI (2件)：

H01L25/04 C ,  H02M7/48 Z

Fターム (3件)：

5H007CA01 ,  5H007CC03 ,  5H007HA05

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 半導体モジュール
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-339543   出願人：三菱電機株式会社
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-210475   出願人：株式会社東芝