特許

J-GLOBAL ID：200903084601972152

窒化物半導体発光素子及びその製造方法

発明者： 太田 啓之 ,  渡辺 温 ,  田中 利之
出願人/特許権者： パイオニア株式会社
代理人 (1件)： 藤村 元彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-354318
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183464
出願日： 1998年12月14日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：

【要約】【課題】 III族窒化物半導体の多層構造からなる半導体発光素子において、結晶基板との界面を起点として該多層構造を貫通する貫通転位の密度を抑制し、良好な発光特性を得る。【解決手段】 基板面と平行でない面によって構成される略錐状の結晶粒が不規則な形状の島状に分布した第1の結晶層と、第1の結晶層上にあって第1の結晶層と格子定数の異なる化合物によって第1の結晶層の表面を基板面と平行に平坦化するように配された第2の結晶層と、を多層構造内に有する。

請求項（抜粋）：

III族窒化物半導体を平坦な基板面上に順次積層して得られる多層構造の窒化物半導体発光素子であって、前記多層構造は、前記基板の面と平行でない面によって構成される略錐状の結晶粒が不規則な形状の島状に分布した第1の結晶層と、前記第1の結晶層上にあって前記第1の結晶層と格子定数の異なる化合物によって前記第1の結晶層の表面を前記基板面と平行に平坦化するように配された第2の結晶層と、からなることを特徴とする窒化物半導体発光素子。

IPC (3件)：

H01S 5/323 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01S 3/18 673 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C

Fターム (29件)：

5F041AA03 ,  5F041CA04 ,  5F041CA14 ,  5F041CA22 ,  5F041CA40 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC08 ,  5F045AC12 ,  5F045AC19 ,  5F045AD08 ,  5F045AD14 ,  5F045AF09 ,  5F045BB12 ,  5F045CA10 ,  5F045CA12 ,  5F045DA61 ,  5F045EB15 ,  5F073CA07 ,  5F073CB02 ,  5F073CB05 ,  5F073CB14 ,  5F073DA05 ,  5F073DA07 ,  5F073EA28

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 化合物半導体エピタキシャルウエハ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-253081   出願人：昭和電工株式会社
• 青色発光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-230679   出願人：株式会社東芝