特許
J-GLOBAL ID：200903084619241341

成膜処理装置

発明者：
半田 達也

半田 達也 について


出願人/特許権者：
東京エレクトロン株式会社

東京エレクトロン株式会社 について


代理人 (1件)： 亀谷 美明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-185903
公開番号（公開出願番号）：特開2003-007643
出願日： 2001年06月20日
公開日（公表日）： 2003年01月10日
要約：
【要約】【課題】 所望の未成膜部を形成できるとともに,クランプリングが被処理体に与える影響を均一化し,均一な成膜が可能な成膜処理装置を提供する。【解決手段】 クランプリング24の,リング本体126下面の半導体ウエハ1最外周部に対向する部分に,例えばブラスト加工によって形成するランダムな微小凹凸を有する接触部124を設ける。接触部124は,リング本体126の内周端から距離d2の位置から幅d1の領域に,全周にわたって形成される。距離d2は例えば約1〜3mm程度,幅は例えば約1mm程度とすることができる。また,リング本体126は,接触部124以外の部分では,距離Rmaxを保って半導体ウエハ1と対向する。距離Rmaxは,例えば1.6μm以下に形成する。
請求項（抜粋）：
被処理体の処理面に対して成膜処理を施す成膜処理装置において,被処理体の処理面の周縁部をクランプするクランプリングを備え,前記クランプリングは,被処理体の周縁部において被処理体に全周接触する接触部と,前記接触部の内周側において前記被処理体の処理面に所定の間隔を空けて対向する対面部とを備え,前記接触部は,ランダムな微小凹凸面が形成されていることを特徴とする,成膜処理装置。
IPC (3件)：
H01L 21/285 ,  C23C 16/04 ,  H01L 21/205
FI (3件)：
H01L 21/285 C ,  C23C 16/04 ,  H01L 21/205
Fターム (12件)：
4K030BB14 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030GA02 ,  4K030KA45 ,  4K030LA15 ,  4M104BB18 ,  4M104DD44 ,  4M104HH20 ,  5F045BB15 ,  5F045CB10 ,  5F045EM03
引用特許：
審査官引用 (4件)
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