特許
J-GLOBAL ID:200903084634728214
熱電変換素子およびその製造方法
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (3件):
伊藤 洋二
, 三浦 高広
, 水野 史博
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2006-103090
公開番号(公開出願番号):特開2007-281070
出願日: 2006年04月04日
公開日(公表日): 2007年10月25日
要約:
【課題】ナノサイズのワイヤを確実に形成する。【解決手段】多数の貫通孔22が形成されてなるガラステンプレート21を用意し(図2(a))、多数の貫通孔22に熱電変換材であるビスマスを充填する(図2(b))。そして、ガラステンプレート21が軟化する温度以上、かつ、ビスマスの融点以上の温度にガラステンプレート21を加熱した後、このガラステンプレート21を貫通孔22の軸方向に引き伸ばすことで、ガラステンプレート21の中にナノワイヤ10を形成する(図2(c)、(d))。この後、引き伸ばしたガラステンプレート21をチップ23状に切断する(図2(e))。【選択図】図2
請求項(抜粋):
ガラスで構成されると共に、多数の貫通孔(22)が形成されてなる母材(21)を用意する工程と、
前記多数の貫通孔に熱電変換材を充填する工程と、
前記母材が軟化する温度以上、かつ、前記熱電変換材の融点以上に前記母材を加熱すると共に、前記母材を前記貫通孔の軸方向に引き伸ばすことで、前記母材の中にナノワイヤ(10)を形成する工程と、
前記引き伸ばした母材を、前記貫通孔の軸方向に対して垂直方向に切断してチップ(23)を形成する工程と、を含むことを特徴とする熱電変換素子の製造方法。
IPC (4件):
H01L 35/34
, H01L 35/18
, B82B 3/00
, C25D 1/02
FI (4件):
H01L35/34
, H01L35/18
, B82B3/00
, C25D1/02
引用特許: