特許
J-GLOBAL ID：200903080279319647

熱電素子における接合電極の形成方法及び多孔体熱電素子

発明者：
森田 寛之

森田 寛之 について

, 
黒河内 昭夫

黒河内 昭夫 について

, 
和田 健太朗

和田 健太朗 について


出願人/特許権者：
埼玉県

埼玉県 について


代理人 (2件)： 阪本 清孝 ,  船津 暢宏
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-003232
公開番号（公開出願番号）：特開2006-190916
出願日： 2005年01月07日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：
【課題】熱電材料に対して接触抵抗が小さく且つ付着強度が高い電極を形成することができる接合電極の形成方法を得る。【解決手段】多孔体熱電素子における接合電極の形成方法において、無機材料体(ガラス体)10に複数の孔部11を穿孔し、前記孔部11に熱電材料(ビスマス)12が配置されたアレイ部13を具備して成る多孔体熱電素子10に対して、前記アレイ部13を塞ぐ無機材料体(ガラス体)10の端面に、イオンプレーティング法によりバッファ層としてのTi膜21を形成し、大気開放することなく続けてPVD法ではんだ膜22を成膜して接合電極20となる電極膜を形成する。【選択図】 図2
請求項（抜粋）：
熱電素子材に対してイオンプレーティング法によりバッファ層としてのTi膜を形成し、大気開放することなく続けてPVD法ではんだ膜を成膜して接合電極となる電極膜を形成することを特徴とする熱電素子における接合電極の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 35/32 ,  H01L 35/08 ,  H01L 35/34
FI (3件)：
H01L35/32 ,  H01L35/08 ,  H01L35/34
引用特許：
審査官引用 (7件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM