特許
J-GLOBAL ID：200903084648961892
半導体レーザ
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松隈 秀盛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-011960
公開番号（公開出願番号）：特開平8-204277
出願日： 1995年01月27日
公開日（公表日）： 1996年08月09日
要約：
【要約】【目的】 エッチングストップ層によって活性層からの発振波長光の吸収を回避し、すぐれた動作特性を有する半導体レーザを構成する。【構成】 基板11上に、少なくとも第1導電型のクラッド層13と、活性層14と、第2導電型の第1のクラッド層15Aと、エッチングストップ層19と、第2導電型の第2のクラッド層15Bとが順次積層され、ストライプ状の電流通路を挟んでその両側に電流狭窄層18が埋め込まれる溝17が上記エッチングストップ層19に至る深さに形成され、エッチングストップ層19が、ひっぱり歪が形成される格子定数に選定されて活性層14のバンドギャップより大なるバンドギャップを有する構成とする。
請求項（抜粋）：
基板上に、少なくとも第1導電型のクラッド層と、活性層と、第2導電型の第1のクラッド層と、エッチングストップ層と、第2導電型の第2のクラッド層とが順次積層され、ストライプ状の電流通路を挟んでその両側に電流狭窄層が埋め込まれる溝が上記エッチングストップ層に至る深さに形成され、該エッチングストップ層が、ひっぱり歪が形成される格子定数に選定されてそのバンドギャップが上記活性層のバンドギャップより大とされたことを特徴とする半導体レーザ。
引用特許：
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