特許
J-GLOBAL ID：200903084701151911

ドライエッチング方法及びドライエッチング装置

発明者：
渡嘉敷 健

渡嘉敷 健 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 堀 城之
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-324404
公開番号（公開出願番号）：特開2000-138207
出願日： 1998年10月30日
公開日（公表日）： 2000年05月16日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 積層メタル配線、スルーホールまたはコンタクトホールを有する半導体装置の製造方法において、電子シェーディングダメージが引き起こすゲート酸化膜の劣化を低減させ、高い信頼性及び生産性のもとで且つ容易に製造することができる方法及び装置を提供する。【解決手段】 積層メタル配線のエッチング、またはスルーホールもしくはコンタクトホール等の孔構造を所望のアスペクト比でドライエッチングする際に、プラズマ密度Neをおおよそ1011cm-3以下に制御した状態でエッチングすることを特徴する。
請求項（抜粋）：
導電性膜と絶縁性膜が積層された積層膜をプラズマを用いてドライエッチングするドライエッチング方法であって、ドライエッチングを行うプラズマの密度を所定密度以下に制御した状態でエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3065 ,  C23F 4/00 ,  H05H 1/46
FI (3件)：
H01L 21/302 J ,  C23F 4/00 A ,  H05H 1/46 A
Fターム (33件)：
4K057DA02 ,  4K057DB00 ,  4K057DB01 ,  4K057DB05 ,  4K057DD03 ,  4K057DD08 ,  4K057DE01 ,  4K057DE04 ,  4K057DE06 ,  4K057DG08 ,  4K057DG13 ,  4K057DJ02 ,  4K057DJ03 ,  4K057DM40 ,  4K057DN01 ,  5F004AA06 ,  5F004BA20 ,  5F004BB11 ,  5F004BB13 ,  5F004BB18 ,  5F004BD02 ,  5F004CA02 ,  5F004CA06 ,  5F004CB02 ,  5F004DA04 ,  5F004DA11 ,  5F004DA16 ,  5F004DB00 ,  5F004DB09 ,  5F004DB16 ,  5F004EA28 ,  5F004EB01 ,  5F004EB02
引用特許：
審査官引用 (4件)
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