特許
J-GLOBAL ID：200903084708959230
電界効果トランジスタ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
尾身 祐助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-075283
公開番号（公開出願番号）：特開平10-270463
出願日： 1997年03月27日
公開日（公表日）： 1998年10月09日
要約：
【要約】【目的】 ゲートにショットキー接触する半導体にAlGaAsを用いたヘテロ構造FETにおいて、立ち上がり抵抗のばらつきを抑えて、特性のばらつきが少なくDC、RF特性に優れたMESFETを提供できるようにする。【構成】 GaAs基板上にn型GaAs層、n型AlGaAs層、n型GaAs層(コンタクト層)を順に成長させ、コンタクト層を選択的にエッチングしてリセスを形成し、リセス上にゲート電極、コンタクト層上にソース・ドレイン電極を形成するFETにおいて、n型AlGaAs層のAl組成比と不純物濃度を示す点は図の斜線部分内に存在するようにする。
請求項（抜粋）：
第1n型GaAs層、第1n型AlGaAs層、第2n型GaAs層、第2n型AlGaAs層、第3n型GaAs層がこの順に積層され、第3n型GaAs層に第2n型AlGaAs層の表面を露出させるワイドリセスが形成され、ワイドリセス内に第1n型AlGaAs層の表面を露出させるゲートリセスが形成されている電界効果トランジスタにおいて、前記第1n型AlGaAsの不純物濃度とAlの組成比は、不純物濃度とAl組成比とを示す図表において、(a) Al組成比=0.1を示す直線(b) 不純物濃度=5×1017cm-3を示す直線(c) 不純物濃度=1×1016cm-3を示す直線(d) ?@(不純物濃度=1×1016cm-3、Al組成比=0.16)、?A(不純物濃度=5×1016cm-3、Al組成比=0.17)、?B(不純物濃度=1×1017cm-3、Al組成比=0.18)、?C(不純物濃度=5×1017cm-3、Al組成比=0.25)の4点を滑らかに接続する曲線によって囲まれた領域に含まれていることを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
