ヘテロ接合型電界効果トランジスタおよびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：布施行夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-149493
公開番号（公開出願番号）：特開平8-321600
出願日： 1995年05月24日
公開日（公表日）： 1996年12月03日
要約：

【要約】【目的】リセスゲート構造を有するHEMTにおいて、相互コンダクタンスが大きく、ゲート耐圧が高く、しかもしきい値電圧のウエハ面内あるいはロット間での変動の小さいHEMTを得ることである。【構成】本発明のデバイスは、半導体基板上に設けられたチャネル層(110)と、このチャネル層よりも電子親和力が小さく、かつ不純物が添加された半導体層からなり、前記チャネル層とヘテロ接合を形成するキャリア供給層(120)と、このキャリア供給層上に設けられた、キャリア供給層よりも不純物濃度が低いゲートコンタクト層(130)と、このゲートコンタクト層上に設けられた、ゲートコンタクト層よりも不純物濃度が高いオーミックコンタクト層(140)と、前記オーミックコンタクト層を貫通して前記ゲートコンタクト層の内部にまで達するリセスエッチング部の底部に接触するゲート電極(160)と、このゲート電極の近傍に設けられたソース電極およびドレイン電極(170,150)とを有している。

請求項（抜粋）：

半導体基板(100)上に設けられた、不純物が添加されない半導体層からなるチャネル層(110)と、このチャネル層(110)よりも電子親和力が小さく、かつ不純物が添加された半導体層からなり、前記チャネル層(110)とヘテロ接合を形成するキャリア供給層(120)と、このキャリア供給層(120)上に設けられた、このキャリア供給層(120)よりも不純物濃度が低いゲートコンタクト層(130)と、このゲートコンタクト層(130)上に設けられた、ゲートコンタクト層(130)よりも不純物濃度が高いオーミックコンタクト層(140)と、前記オーミックコンタクト層(140)を貫通して前記ゲートコンタクト層(130)の内部にまで達するリセスエッチング部の底部に接触するゲート電極(160)と、このゲート電極(160)の近傍に設けられたソース電極およびドレイン電極(170,150)とを有することを特徴とするヘテロ接合型電界効果トランジスタ。

IPC (4件)：

H01L 29/778 , H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/41

FI (3件)：

H01L 29/80 H , H01L 29/44 C , H01L 29/80 F

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平4-159730
特開昭63-221683
高電子移動度トランジスタ
公報種別：公開公報出願番号：特願平5-035493 出願人：ソニー株式会社

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