特許

J-GLOBAL ID：200903084723273999

発光素子

発明者： 山田 元量
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-048880
公開番号（公開出願番号）：特開2001-237456
出願日： 2000年02月21日
公開日（公表日）： 2001年08月31日
要約：

【要約】【課題】本発明は、窒化物半導体層を有する発光素子、特に発光ピーク波長が530nm以上の発光を行う発光素子の発光出力を向上することを目的とする。【解決手段】上記目的を達成するために、本発明の発光素子は、 n型半導体層、活性層およびp型半導体層から構成される発光素子であって、前記活性層は、下部障壁層、井戸層、第1の上部障壁層、第2の上部障壁層が順に積層され、前記下部障壁層、前記第1の上部障壁層、前記第2の上部障壁層はそれぞれ組成の異なる窒化物半導体から構成される。さらに、本発明の発光素子は、前記第1の上部障壁層はInzAl1-zN(0≦z≦1)である構成とすることによって、井戸層および第2の上部障壁層のそれぞれの層に対して格子定数不整合を緩和し、かつ井戸層に対して十分なバンドギャップエネルギー差を得ることができる。

請求項（抜粋）：

n型半導体層、活性層およびp型半導体層から構成される発光素子であって、前記活性層は、下部障壁層、井戸層、第1の上部障壁層、第2の上部障壁層が順に積層され、前記下部障壁層、前記第1の上部障壁層、前記第2の上部障壁層はそれぞれ組成の異なる窒化物半導体から構成される発光素子。

IPC (2件)：

H01L 33/00 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01L 33/00 C ,  H01S 5/343

Fターム (19件)：

5F041AA11 ,  5F041AA40 ,  5F041CA05 ,  5F041CA34 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA49 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F073AA51 ,  5F073AA74 ,  5F073AA77 ,  5F073CA07 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA35 ,  5F073EA02 ,  5F073EA29

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体量子井戸光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-250319   出願人：富士通株式会社
• 半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-136359   出願人：日本電気株式会社