特許
J-GLOBAL ID：200903084758504381
半導体ヘテロ接合構造、およびその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-058537
公開番号（公開出願番号）：特開平11-260732
出願日： 1998年03月10日
公開日（公表日）： 1999年09月24日
要約：
【要約】【課題】 p型層からn型層へのp型ドーパントの拡散を抑制することができるのでp型層におけるキャリア濃度が高く、GaN系化合物半導体から成るHBT用の素材として有用な半導体ヘテロ接合構造とその製造方法を提供する。【解決手段】 III-V族化合物半導体のエピタキシャル成長層であるp型層6とn型層4,7の間に、同じくIII-V族化合物半導体のエピタキシャル成長層である高濃度水素含有層5a,5bがそれぞれ介装されている。
請求項（抜粋）：
III-V族化合物半導体のエピタキシャル成長層であるp型層とn型層の間に、同じくIII-V族化合物半導体のエピタキシャル成長層である高濃度水素含有層が介装されていることを特徴とする半導体ヘテロ接合構造。
IPC (3件)：
H01L 21/205
, H01L 21/331
, H01L 29/73
