特許

J-GLOBAL ID：200903084761482895

GaN系半導体装置

発明者： 吉田 清輝 ,  和田 崇宏
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社
代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-246113
公開番号（公開出願番号）：特開2003-059946
出願日： 2001年08月14日
公開日（公表日）： 2003年02月28日
要約：

【要約】【課題】 動作時のオン抵抗が低く、大電流動作が可能なHEMT構造のGaN系半導体装置を提供する。【解決手段】 全体がGaN系半導体材料で構成され、第1のアンドープ材料から成る下層3と第1のアンドープ材料よりもバンドギャップエネルギーが大きい第2のアンドープ材料から成る上層4との層構造が基板1の上に形成され、上層4の表面には、ゲート電極G、ソース電極S、およびドレイン電極Dが形成されているGaN系半導体装置Aであって、ソース電極Sとドレイン電極Dの形成領域4Aにおける上層4の厚みが、他の領域4Bにおける厚みよりも薄くなっているGaN系半導体装置。

請求項（抜粋）：

全体がGaN系半導体材料で構成され、第1のアンドープ材料から成る下層と前記第1のアンドープ材料よりもバンドギャップエネルギーが大きい第2のアンドープ材料から成る上層との層構造が基板の上に形成され、前記上層の表面には、ゲート電極、ソース電極、およびドレイン電極が形成されているGaN系半導体装置であって、前記ソース電極と前記ドレイン電極の形成領域における前記上層の厚みが、他の領域における厚みよりも薄くなっていることを特徴とするGaN系半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/338 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  H01L 29/80 H

Fターム (40件)：

5F045AA04 ,  5F045AA05 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AB19 ,  5F045AB32 ,  5F045AC12 ,  5F045AD10 ,  5F045AD12 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF04 ,  5F045AF09 ,  5F045BB16 ,  5F045CA07 ,  5F045CB10 ,  5F045DA53 ,  5F045DA63 ,  5F045HA16 ,  5F102FA02 ,  5F102FA03 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ03 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ05 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GK08 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GS01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV07 ,  5F102HC01 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-274003   出願人：株式会社東芝
• 半絶縁性炭化ケイ素基板上の窒化物系トランジスタ
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2000-560616   出願人：クリーインコーポレイテッド