半導体記憶装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平戸哲夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-182720
公開番号（公開出願番号）：特開平9-035474
出願日： 1995年07月19日
公開日（公表日）： 1997年02月07日
要約：

【要約】【課題】電源電圧等を昇圧してなる昇圧電圧を発生する昇圧回路を内蔵する半導体記憶装置、例えば、DRAMに関し、昇圧回路において消費される電流を減らし、消費電力の低減化を図る。【解決手段】昇圧電圧SVCCL=VCC/2+VTH+αを発生し、これをBRS発生回路14に供給する昇圧回路17と、昇圧電圧SVCCH=VCC+VTH+αを発生し、これをロウデコーダ13及びBLT発生回路15に供給する昇圧回路18とを設ける。

請求項（抜粋）：