特許
J-GLOBAL ID：200903084766759534

反応物質の流入を変化させることにより堆積された層を有する半導体デバイスを形成する方法。

発明者：
プラサッド・アルーリ

プラサッド・アルーリ について

, 
ラマチャンドラン・ムラリダハール

ラマチャンドラン・ムラリダハール について


出願人/特許権者：
モトローラ・インコーポレイテッド

モトローラ・インコーポレイテッド について


代理人 (1件)： 大貫 進介 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-349093
公開番号（公開出願番号）：特開2000-183058
出願日： 1999年12月08日
公開日（公表日）： 2000年06月30日
要約：
【要約】【課題】 反応物質の流入を変化させることによって堆積された層を有する半導体デバイスを形成する方法が提供される。【解決手段】 半導体基板を真空チャンバ内に入れ、半導体基板20を大気圧以下の圧力下に置き、大気圧以下の圧力を維持しつつ、半導体基板の上に層40を堆積させることによって、半導体デバイスを形成する方法。層40の堆積は、(i)第1流量において、第1反応物質が真空チャンバ内へと流入する段階、(ii)真空チャンバ内への第1反応物質の流入を、第2流量に低下させる段階、および(iii)第1反応物質の真空チャンバ内への流入を、第3流量へと増加させる段階を連続して行うことによって実施される。
請求項（抜粋）：
半導体デバイスを形成する方法であって:半導体基板(10)を設ける段階;前記半導体基板(10)を真空チャンバ内に入れて、前記半導体基板を大気圧以下の圧力下に置く段階;および、前記大気圧以下の圧力を維持する一方で、(i)第1反応物質を、前記真空チャンバ内に第1流量で流入させる段階、(ii)前記第1反応物質の前記真空チャンバ内への流入を、第2流量に減少させる段階、および(iii)前記第1反応物質の前記真空チャンバ内への流入を、第3流量へと増加させる段階を連続して実施することによって、前記半導体基板(10)上に層(40)を堆積させる段階;を含むことを特徴とする方法。
IPC (5件)：
H01L 21/316 ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 ,  H01L 27/108 ,  H01L 21/8242
FI (4件)：
H01L 21/316 X ,  C23C 16/40 ,  H01L 21/31 B ,  H01L 27/10 621 Z
引用特許：
審査官引用 (4件)
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