特許
J-GLOBAL ID：200903065694392288
強誘電体薄膜と基体との複合構造体
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
中村 純之助 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-053507
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263775
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】Siの拡散を抑制した良好な特性のPb系強誘電体とSi系基体との複合構造体を提供する。【構成】シリコンを含有する基板または薄膜からなる基体上に、鉛を含有する強誘電体薄膜を載置した強誘電体薄膜と基体との複合構造体において、上記強誘電体薄膜(例えばPbTiO<SB>3</SB>強誘電体膜)3と上記基体(例えばSi基板)1との間に、化学量論組成からはずれて鉛が不足しているチタン酸鉛層〔例えばPb<SB>x</SB>TiO<SB>x+2</SB>(x<1)〕もしくはジルコンを主元素とする酸化物層(例えばZrO<SB>2</SB>)からなる誘電体薄膜2を挾持したことを特徴とする強誘電体薄膜と基体の複合構造体。
請求項（抜粋）：
シリコンを含有する基板または薄膜からなる基体上に、鉛を含有する強誘電体薄膜を載置した強誘電体薄膜と基体との複合構造体において、上記強誘電体薄膜と上記基体との間に、化学量論組成からはずれて鉛が不足しているチタン酸鉛層もしくはジルコンを主元素とする酸化物層からなる誘電体薄膜を挾持したことを特徴とする強誘電体薄膜と基体との複合構造体。
IPC (10件)：
H01L 49/02
, C04B 35/48
, C30B 25/14
, C30B 29/22
, H01B 3/00
, H01L 21/283
, H01L 21/314
, H01L 21/8247
, H01L 29/788
, H01L 29/792
C04B 35/48 D
, H01L 29/78 371
