特許

J-GLOBAL ID：200903084777628075

減圧プラズマ処理装置及びその方法

発明者： 笹岡 達雄 ,  鈴木 直樹 ,  小林 研
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 青山 葆 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-320472
公開番号（公開出願番号）：特開2003-124612
出願日： 2001年10月18日
公開日（公表日）： 2003年04月25日
要約：

【要約】【課題】 スループットを向上させることができ、フィルム汚染が効果的に防止でき、フィルムの管理が容易に行うことができる減圧プラズマ処理装置及びその方法を提供する。【解決手段】 フィルム基板2をプラズマ処理装置本体10外からプラズマ処理装置本体内の基板搬送位置Bに搬入し、基板搬送位置に位置したフィルム基板をチャンバー8内に搬入し、チャンバー内を排気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力を印加してプラズマを発生させてフィルム基板から有機物を除去するプラズマ処理を行い、プラズマ処理されたフィルム基板をチャンバーから取り出してプラズマ処理装置本体内の基板搬出位置Cに位置させてプラズマ処理装置本体外に搬出する。

請求項（抜粋）：

フィルム基板(2)を保持する搬送アーム装置(3A,3B)と、プラズマ処理装置本体(10)外の基板搬入準備位置(A)と上記プラズマ処理装置本体内の基板搬入位置(B)との間で上記搬送アーム装置を移動させるとともに、上記プラズマ処理装置本体内の基板搬出準備位置(C)と上記プラズマ処理装置本体外の基板搬出位置(D)との間で上記搬送アーム装置を移動させる移動装置(4)と、上記移動装置(4)の駆動により上記搬送アーム装置が上記基板搬入準備位置(A)から上記基板搬入位置(B)に移動して、上記搬送アーム装置に保持された上記フィルム基板が搬入されたのち上記チャンバー内を排気しつつ反応ガスを導入して減圧下で高周波電力を印加してプラズマを発生させて上記フィルム基板から有機物を除去するプラズマ処理を行うとともに、上記プラズマ処理されたフィルム基板が上記搬送アーム装置により保持されて上記基板搬出準備位置(C)から上記基板搬出位置(D)に搬出されるチャンバー(8)とを備えることを特徴とする減圧プラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H05K 3/26 ,  H01L 21/60 301 ,  H05H 1/46

FI (3件)：

H05K 3/26 A ,  H01L 21/60 301 D ,  H05H 1/46 M

Fターム (5件)：

5E343AA33 ,  5E343EE08 ,  5E343EE36 ,  5E343GG11 ,  5F044CC01

引用特許：

審査官引用 (2件)

• プラズマ洗浄装置およびその運転方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-341849   出願人：三洋電機株式会社
• フィルム状基板のプラズマエッチング装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-145532   出願人：日本真空技術株式会社