フィルム状基板のプラズマエッチング装置

発明者： , , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：八木田茂 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-145532
公開番号（公開出願番号）：特開2001-144069
出願日： 2000年05月17日
公開日（公表日）： 2001年05月25日
要約：

【要約】【課題】フィルム状基板の熱膨張に伴う問題を避けることができしかもアンダーカットを防止して形状制御できるフィルム状基板のプラズマエッチング方法及び装置を提供する。【解決手段】本発明のフィルム状基板のプラズマエッチング方法は、カソード電極に、フィルム状基板を静電吸着及びメカニカルクランプ手段によりフィルム状基板とメカニカルクランプ手段との間に隙間をあけて保持し、エッチングガスとしてフッ素を含むハロゲンガスとO2、N2との混合ガスを使用することを特徴としている。また本発明によるエッチング装置は、カソード電極上に、フィルム状基板を静電吸着保持する静電吸着電極を設け、静電吸着電極上に静電吸着保持されるフィルム状基板の周縁部を、フィルム状基板との間に隙間をあけて保持するメカニカルクランプ手段を設け、エッチングガスがフッ素を含むハロゲンガスとO2、N2との混合ガスから成ることを特徴としている。

請求項（抜粋）：

真空チャンバー内にカソード電極とアース電極とを対向して配置し、カソード電極にフィルム状基板を装着し、真空チャンバー内に発生されたプラズマを利用してエッチング処理を行うようにしたフィルム状基板のプラズマエッチング方法において、カソード電極に、フィルム状基板を静電吸着及びメカニカルクランプ手段によりフィルム状基板とメカニカルクランプ手段との間に隙間をあけて保持し、エッチングガスとしてフッ素を含むハロゲンガスとO2、N2との混合ガスを使用することを特徴とするフィルム状基板のプラズマエッチング方法。

Fターム (15件)：

5F004AA16 , 5F004BA06 , 5F004BB13 , 5F004BB15 , 5F004BB21 , 5F004BB22 , 5F004BB25 , 5F004BC08 , 5F004BD07 , 5F004CA09 , 5F004DA16 , 5F004DA18 , 5F004DA25 , 5F004DA26 , 5F004DB25

引用特許：

審査官引用 (14件)

ドライエッチング法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-219364 出願人：ソニー株式会社
静電吸着装置および静電吸着方法、ならびにそれを用いた処理装置および処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-289236 出願人：東京エレクトロン株式会社
特開平1-196827

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