特許
J-GLOBAL ID：200903084778049168
表面処理方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-276612
公開番号（公開出願番号）：特開2002-083798
出願日： 2000年09月07日
公開日（公表日）： 2002年03月22日
要約：
【要約】【課題】本発明の目的は半導体などの表面処理において、配線の高速化のため配線間絶縁膜として使用されるLow-K膜の一種であるSiOCなどの炭素を含んだシリコン酸化膜とパターンを形成するマスクであるレジストとのエッチング速度の比、すなわち選択比をSiOCの抜け性を維持した状態で、高くした表面処理方法を提供することである。【解決手段】プラズマを用いる表面処理方法で、エッチングガスとして希ガスとフルオロカーボン系ガスの混合ガスに添加ガスとしてCOを添加し、SiOCにエッチストップを発生さすこと無く、対マスク高選択比エッチングを可能とする。【効果】通常のシリコン酸化膜のエッチングガスに添加ガスとしてCOを添加した。この効果により、できるだけ高い選択比を保ちつつ抜け性を維持したままSiOC膜のエッチングが実現できる。
請求項（抜粋）：
炭素を含むシリコン酸化膜(以下、有機シリコン酸化膜と呼ぶ)をプラズマエッチングする方法において、フルオロカーボン系ガスに炭素と酸素を構成元素として含むガスを添加することを特徴とする表面処理方法。
Fターム (11件)：
5F004AA05
, 5F004BA14
, 5F004BB11
, 5F004BB22
, 5F004CA09
, 5F004CB02
, 5F004DA00
, 5F004DA23
, 5F004DA26
, 5F004DB00
, 5F004EB03
