特許
J-GLOBAL ID：200903084800677046
シリコンウェーハのエッチング方法及びこの方法を用いたシリコンウェーハの表裏面差別化方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-296805
公開番号（公開出願番号）：特開2003-100701
出願日： 2001年09月27日
公開日（公表日）： 2003年04月04日
要約：
【要約】【課題】 表面を鏡面研磨したウェーハにおいて、良好な平坦度を得、かつ裏面粗さが小さくなるシリコンウェーハのエッチング方法を提供する。【解決手段】 複数のエッチング槽に酸エッチング液とアルカリエッチング液をそれぞれ貯え、ラッピング工程に続いて洗浄工程を経た加工変質層を有するシリコンウェーハを酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬するシリコンウェーハのエッチング方法の改良である。この特徴ある構成は、酸エッチングの後にアルカリエッチングが行われ、アルカリエッチング液の濃度を8mol/l以上とし、かつ酸エッチングのエッチングレートをシリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で0.2μm/秒以上とするところにある。
請求項（抜粋）：
複数のエッチング槽に酸エッチング液とアルカリエッチング液をそれぞれ貯え、ラッピング工程に続いて洗浄工程を経た加工変質層を有するシリコンウェーハを酸エッチング液とアルカリエッチング液とに順次浸漬するシリコンウェーハのエッチング方法において、酸エッチングの後にアルカリエッチングが行われ、前記アルカリエッチング液の濃度を8mol/l以上とし、かつ酸エッチングのエッチングレートを前記シリコンウェーハの表面と裏面を合わせた合計で0.2μm/秒以上とすることを特徴とするシリコンウェーハのエッチング方法。
Fターム (4件)：
5F043AA02
, 5F043BB02
, 5F043FF07
, 5F043GG10
