特許
J-GLOBAL ID:200903084809466684

マイクロセンサ及びそのパッケージ方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 三好 秀和 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-372901
公開番号(公開出願番号):特開2001-015768
出願日: 1999年12月28日
公開日(公表日): 2001年01月19日
要約:
【要約】【課題】 パッケージウエハのコンタクトホールの金属蒸着面の短絡現象を未然に防止することができると共に、パッケージウエハのコンタクトホールとデバイスウエハの表面電極の接続を確実に行う。【解決手段】 上側に表面電極210が印刷されたデバイスウエハ110と、表面電極を保護するためにデバイスウエハの上側にボンディングされるパッケージウエハ140と、デバイスウエハの表面電極とパッケージウエハの表面に形成される金属電極パターン220とを接続するために、パッケージウエハ140に形成されたコンタクトホール160と、パッケージウエハのコンタクトホールとデバイスウエハの表面電極とが接触するコーナー部分をラウンド部230に形成し、パッケージウエハのコンタクトホール及び表面に金属を蒸着してデバイスウエハの表面電極と接続する金属蒸着部170とを含む。
請求項(抜粋):
デバイスウエハの表面に構造物を装着するために構造物装着部を所定の厚さでエッチングし、エッチングした構造物装着部に所定の厚さの犠牲層を形成するデバイスウエハ製作段階と、パッケージ用ウエハにキャビティを形成するパッケージウエハ製作段階と、前記デバイスウエハ製作段階により製作されたデバイスウエハの表面に前記パッケージウエハ製作段階により製作されたパッケージウエハをボンディングするウエハボンディング段階と、前記デバイスウエハの表面電極と前記パッケージウエハの表面金属電極パターンとを接続するためのコンタクトホールを形成するコンタクトホール加工段階と、前記パッケージウエハに形成されたコンタクトホールに金属を蒸着させる金属蒸着及びパターニング段階と、からなることを特徴とするマイクロセンサのパッケージ方法。
IPC (5件):
H01L 29/84 ,  B81C 5/00 ,  G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  G01P 15/08
FI (5件):
H01L 29/84 Z ,  B81C 5/00 ,  G01C 19/56 ,  G01P 9/04 ,  G01P 15/08 P
Fターム (13件):
2F105BB20 ,  2F105CC04 ,  2F105CD13 ,  4M112AA02 ,  4M112CA35 ,  4M112CA36 ,  4M112DA02 ,  4M112DA05 ,  4M112DA08 ,  4M112DA18 ,  4M112EA11 ,  4M112EA13 ,  4M112GA01
引用特許:
審査官引用 (3件)

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