基板処理方法及び塗布現像処理装置

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (3件)：金本哲男 , 亀谷美明 , 萩原康司
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-025969
公開番号（公開出願番号）：特開2008-192844
出願日： 2007年02月05日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：

【課題】基板上のレジストに対して現像処理を行った後に基板を処理する際に、レジストを変形させずに、レジスト中に含まれる溶剤を除去する。【解決手段】処理容器210の上方には、載置台230上のウエハWに対して120nm〜190nmの波長の紫外線を照射する紫外線照射部240が設けられている。処理容器210の上面には、不活性ガスを処理容器210内に供給するガス供給口220が形成され、処理容器210の下面には、処理容器210内の雰囲気を排気する排気口223が形成されている。ガス供給口220から不活性ガスを供給し、排気口223から処理容器210の内部の雰囲気を排気することで、処理容器210内が酸素原子および水分子を含まない雰囲気に維持される。この雰囲気下でウエハWに紫外線照射部240から紫外線が照射される。【選択図】図4

請求項（抜粋）：

露光処理後の基板上のレジストに対して現像処理を行なった後に基板を処理する方法であって、前記現像処理後に、酸素原子および水分子を大気よりも減じた雰囲気または酸素原子および水分子を実質的に含まない雰囲気の下で、前記基板に対して波長が120nm〜190nmの紫外線を照射する紫外線照射工程と、前記紫外線照射工程の後、前記レジスト中の溶剤の沸点以上の温度に前記基板を加熱する加熱工程と、を有することを特徴とする、基板処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 , F26B 5/04 , F26B 21/14

FI (3件)：

H01L21/30 571 , F26B5/04 , F26B21/14

Fターム (7件)：

3L113AA01 , 3L113AB05 , 3L113AC07 , 3L113AC24 , 3L113BA34 , 5F046KA10 , 5F046LA18

引用特許：

出願人引用 (1件)

RIE装置
公報種別：再公表公報出願番号：JP1997002326 出願人：株式会社ウルトラクリーンテクノロジー開発研究所, 大見忠弘

審査官引用 (2件)

バンク形成方法およびバンク形成システム並びにそのバンク形成方法を用いた電子デバイスの製造方法および電子デバイス
公報種別：公開公報出願番号：特願2003-106309 出願人：セイコーエプソン株式会社, 東京応化工業株式会社
特開平4-314323

引用文献：

審査官引用 (1件)

放出ガスを2桁減らすレジスト塗布・現像プロセス

前のページに戻る