特許
J-GLOBAL ID：200903059180239723

バンク形成方法およびバンク形成システム並びにそのバンク形成方法を用いた電子デバイスの製造方法および電子デバイス

発明者：
佐藤 充

佐藤 充 について

, 
中村 彰彦

中村 彰彦 について


出願人/特許権者：
セイコーエプソン株式会社

セイコーエプソン株式会社 について

, 
東京応化工業株式会社

東京応化工業株式会社 について


代理人 (2件)： 村上 友一 ,  大久保 操
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-106309
公開番号（公開出願番号）：特開2004-309955
出願日： 2003年04月10日
公開日（公表日）： 2004年11月04日
要約：
【課題】より高温における使用が可能なフォトレジストからなるバンクを得る。【解決手段】バンク形成システム10は、塗布手段20を有しており、ガラス基板22にレジスト32をスピンコートできる。ガラス基板22に塗布したレジスト32は、乾燥手段40において乾燥してレジスト膜46にする。レジスト膜46は、露光手段50においてマスク58のパターンが焼き付けられる。露光されたレジスト膜46は、現像手段70を構成する現像液72に浸漬して現像し、所定パターンのバンクにする。バンク90は、真空容器80内に配置し、減圧下においてヒータ86によって加熱するとともに、水銀ランプ100によって紫外線を照射して重合する。重合させたバンク90は、熱硬化手段110によりレジストのポストベーク温度以上に加熱して熱硬化処理をしたのち、撥液処理手段13により表面が撥液化される。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板にレジストを塗布して乾燥させ、レジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、 前記レジスト膜を露光、現像し、所定部分のレジスト膜を除去してバンクにするパターニング工程と、 前記バンクを減圧下に配置して光または高エネルギー線を照射する重合工程と、 重合させた前記バンクを、前記レジストの乾燥温度以上に加熱する熱硬化工程と、 を有することを特徴とするバンク形成方法。
IPC (3件)：
G03F7/40 ,  G02B5/20 ,  H01L21/027
FI (4件)：
G03F7/40 501 ,  G03F7/40 521 ,  G02B5/20 101 ,  H01L21/30 570
Fターム (16件)：
2H048BA02 ,  2H048BA64 ,  2H048BB02 ,  2H048BB42 ,  2H096AA27 ,  2H096BA01 ,  2H096BA09 ,  2H096DA01 ,  2H096EA02 ,  2H096EA06 ,  2H096EA07 ,  2H096HA01 ,  2H096HA03 ,  2H096HA30 ,  2H096JA04 ,  5F046LA18
引用特許：
審査官引用 (9件)
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