特許
J-GLOBAL ID:200903084838839384
静電放電(ESD)保護回路
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
恩田 博宣 (外1名)
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2001-574904
公開番号(公開出願番号):特表2003-530698
出願日: 2001年04月04日
公開日(公表日): 2003年10月14日
要約:
【要約】集積回路(31)の複数のI/O回路(30,32,36)の各々に接続されたESD保護回路(39)を開示する。ESD保護回路は、ESD事象が発生した際に主要なESD保護を提供するための、MOSFETトランジスタ(40)を有する。1実施例において、MOSFETトランジスタの制御電極は、第一のバッファ回路(42)に接続している。集積回路(31)は、トリガバス(47)を介してESD保護回路に接続された遠隔トリガ回路(37)を有する。個別ESD保護回路は並列に作動し、ESD事象が発生した際I/O回路(30,32,36)にESD保護を提供する。
請求項(抜粋):
VSS電源バス(43又は72)と静電放電(ESD)バス(48又は70)とを有する集積回路であって、 ESDバスとVSS電源バスとに接続された複数の入力/出力(I/O)パッド(38又は74)と、 複数の個別トランジスタ(40又は88)とを備え、各個別トランジスタが、対応するI/Oパッドに接続し、前記複数の個別トランジスタが、複数のI/Oパッドの少なくとも一個におけるESD事象に応答して並列に作動することにより、複数のI/OパッドのESD保護を提供することを特徴とする集積回路。
IPC (5件):
H01L 21/822
, H01L 21/8238
, H01L 27/04
, H01L 27/092
, H03K 19/003
FI (3件):
H03K 19/003 Z
, H01L 27/04 H
, H01L 27/08 321 H
Fターム (28件):
5F038AZ07
, 5F038BH02
, 5F038BH03
, 5F038BH04
, 5F038BH05
, 5F038BH13
, 5F038CD04
, 5F038CD07
, 5F038CD12
, 5F038DF01
, 5F038EZ20
, 5F048AA02
, 5F048AB06
, 5F048AB07
, 5F048AC03
, 5F048AC10
, 5F048CC01
, 5F048CC05
, 5F048CC06
, 5F048CC09
, 5F048CC15
, 5F048CC16
, 5F048CC19
, 5J032AA02
, 5J032AB02
, 5J032AB15
, 5J032AB25
, 5J032AC18
引用特許:
審査官引用 (2件)
-
集積回路用の静電放電保護
公報種別:公開公報
出願番号:特願平2-417893
出願人:ナショナルセミコンダクタコーポレイション
-
半導体集積回路装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平4-248432
出願人:富士電機株式会社
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