特許
J-GLOBAL ID：200903084842467076

GaAs単結晶の成長方法

発明者：
橋尾 克司

橋尾 克司 について

, 
龍見 雅美

龍見 雅美 について

, 
澤田 真一

澤田 真一 について


出願人/特許権者：
住友電気工業株式会社

住友電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 内田 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-054552
公開番号（公開出願番号）：特開平8-253396
出願日： 1995年03月14日
公開日（公表日）： 1996年10月01日
要約：
【要約】【目的】 半絶縁性GaAs単結晶の比抵抗を制御するために非常に重要な結晶中の炭素濃度を制御することのできるLEC法でGaAs単結晶を成長する方法を提供しようとするものである。【構成】 原料に酸化ガリウムを添加し、必要に応じて酸化ガリウムと液体封止剤の酸化ホウ素の重量比を制御することにより、所望の炭素濃度のGaAs単結晶をLEC法で成長する方法である。
請求項（抜粋）：
液体封止チョクラルスキー法でGaAs単結晶を成長する方法において、原料に酸化ガリウムを添加することを特徴とするGaAs単結晶の成長方法。
IPC (5件)：
C30B 29/42 ,  C30B 15/02 ,  C30B 15/20 ,  C30B 27/02 ,  H01L 21/208
FI (5件)：
C30B 29/42 ,  C30B 15/02 ,  C30B 15/20 ,  C30B 27/02 ,  H01L 21/208 P
引用特許：
審査官引用 (6件)
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