特許
J-GLOBAL ID:200903084924105415

利得可変型増幅器

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 安孫子 勉
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2004-225564
公開番号(公開出願番号):特開2006-050074
出願日: 2004年08月02日
公開日(公表日): 2006年02月16日
要約:
【課題】高電力レベルの高周波信号が入力されても低消費電力状態の維持を可能とする。【解決手段】カスコード接続された第1及び第2のFET1,2により増幅経路101においてカスコードアンプが構成され、また、第4のFET4を中心としてバイパス経路102が構成される一方、第1のFET1のドレインD1と第2のFET2のソースS2の接続点には、第3のFET3のドレインD3が接続されると共に、この第3のFET3のソースS3は接地されており、高電力レベルの高周波信号が入力された際には、第1及び第2のFET1,2を非動作状態とする一方、第3のFET3を導通状態とすることで、第1及び第2のFET1,2の段間を低インピーダンスにして、段間に掛かる入力信号の振幅を低減し、低消費電力状態の維持を可能としたものである。【選択図】図1
請求項(抜粋):
半導体増幅回路と、当該半導体増幅回路をバイパスするバイパス経路を有してなる利得可変型増幅器であって、 前記半導体増幅回路は、カスコード接続された2つの電界効果トランジスタによるカスコードアンプからなり、 前記カスコード接続された2つの電界効果トランジスタの相互の接続点に、第3の電界効果トランジスタのドレインが接続されると共に、当該第3の電界効果トランジスタのソースは接地される一方、 前記バイパス経路は、その一端が前記半導体増幅回路の入力側に、他端が前記半導体増幅回路の出力側に、それぞれ接続されてなり、 前記第3の電界効果トランジスタは、その動作状態が当該第3の電界効果トランジスタのゲートへ印加される制御電圧によって、 前記カスコードアンプを構成する2つの電界効果トランジスタが動作状態の場合には、非動作状態に、また、前記カスコードアンプを構成する2つの電界効果トランジスタが非動作状態の場合には、動作状態に、それぞれ制御可能に構成されてなることを特徴とする利得可変型増幅器。
IPC (3件):
H03G 3/10 ,  H03F 1/02 ,  H03F 1/22
FI (4件):
H03G3/10 A ,  H03G3/10 C ,  H03F1/02 ,  H03F1/22
Fターム (21件):
5J100AA26 ,  5J100BA04 ,  5J100BB02 ,  5J100BB03 ,  5J100BC02 ,  5J100EA02 ,  5J100FA02 ,  5J500AA01 ,  5J500AA13 ,  5J500AA51 ,  5J500AC36 ,  5J500AF10 ,  5J500AH09 ,  5J500AH13 ,  5J500AH25 ,  5J500AH29 ,  5J500AH33 ,  5J500AM17 ,  5J500AS13 ,  5J500AT02 ,  5J500RG09
引用特許:
出願人引用 (12件)
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審査官引用 (12件)
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