半導体装置及びその作製方法並びに半導体装置応用システム

発明者： , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：福森久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-208904
公開番号（公開出願番号）：特開2003-115487
出願日： 2002年07月17日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】【目的】本発明は上記の状況に鑑みてなされたもので、窒化ホウ素膜を用いて表面保護および表面不活性化を実現できる半導体表面処理、成膜方法およびその表面保護技術や表面下活性化技術を用いて作製した高性能半導体装置並びに半導体装置を含む通信システムの電子装置を提供することを目的とする。【解決手段】少なくともホウ素及び窒素原子を含むことを特徴とする膜を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

少なくともホウ素及び窒素原子を含むことを特徴とする膜を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (7件)：

H01L 21/318 , H01L 21/331 , H01L 21/338 , H01L 29/201 , H01L 29/737 , H01L 29/778 , H01L 29/812

FI (4件)：

H01L 21/318 B , H01L 29/201 , H01L 29/80 H , H01L 29/72 H

Fターム (30件)：

5F003BA11 , 5F003BA13 , 5F003BF06 , 5F003BH08 , 5F003BM01 , 5F003BM03 , 5F003BP31 , 5F058BA20 , 5F058BD01 , 5F058BD13 , 5F058BF02 , 5F058BF22 , 5F058BF30 , 5F058BJ04 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM08 , 5F102GQ01 , 5F102GS01 , 5F102GT01 , 5F102GV06 , 5F102GV08 , 5F102HC01 , 5F102HC11

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭61-171141
特開昭62-109975
エピタキシャルウェハおよびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-324870 出願人：昭和電工株式会社

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