特許
J-GLOBAL ID:200903084950588823
半導体装置及び半導体モジュール
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
開口 宗昭
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-025611
公開番号(公開出願番号):特開2001-217385
出願日: 2000年02月02日
公開日(公表日): 2001年08月10日
要約:
【要約】【課題】配線の増加、密集化を進めることなく電気的特性の良好な2次元的又は3次元的実装構造で高実装密度の半導体モジュール及びそのユニットとなるベアチップと同等のパッケージサイズの半導体装置を安価に提供する。【解決手段】所定のパターンに形成された配線層を有する一枚のフィルムキャリア状配線テープ2を半導体チップ1の上面、底面及び一側面に貼付し、これらの面に外部接続部36を配設した半導体装置71を構成する。この半導体装置71を用いて図1(d)に示す半導体モジュールを構成する。配線経路51等により半導体チップ間の導通をとる。
請求項(抜粋):
半導体チップと、所定のパターンに形成された配線層を有する一枚の配線テープとを備え、前記配線テープに、外部接続部と、前記半導体チップの電極と接続する内部接続部とが設けられ、前記配線テープが前記半導体チップの縁において折り曲げられて前記半導体チップの3以上の外面に貼付され、前記外部接続部が前記3以上の外面のうちの3以上に配設されてなることを特徴とする半導体装置。
IPC (6件):
H01L 25/065
, H01L 25/07
, H01L 25/18
, H01L 21/60 311
, H01L 23/12
, H01L 23/52
FI (4件):
H01L 21/60 311 R
, H01L 25/08 Z
, H01L 23/12 L
, H01L 23/52 C
Fターム (5件):
5F044KK03
, 5F044MM03
, 5F044MM31
, 5F044MM50
, 5F044RR03
引用特許:
出願人引用 (2件)
-
半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-177445
出願人:日本電気株式会社
-
積層型実装体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-297581
出願人:日東電工株式会社
審査官引用 (2件)
-
積層型実装体
公報種別:公開公報
出願番号:特願平9-297581
出願人:日東電工株式会社
-
半導体装置及びその製造方法
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-177445
出願人:日本電気株式会社
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