半導体装置及びその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：天野広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-270049
公開番号（公開出願番号）：特開2000-100944
出願日： 1998年09月24日
公開日（公表日）： 2000年04月07日
要約：

【要約】【課題】膜強度の弱い有機系材料を層間絶縁膜として多層配線構造を形成する場合に、層間絶縁膜にCMPを施すときに生じるウェハ周辺部での有機系材料層間絶縁膜の膜剥がれを防止する。【解決手段】層間絶縁膜7のCMPを行う(図1(D))前に、ウェハ周辺部において、有機系材料からなる低誘電率有機系材料膜1にUV光5を照射し、表面に表面硬化領域6を形成する(図1(B))。

請求項（抜粋）：

有機系材料からなる層間絶縁膜を用いて多層配線構造を形成する過程を含む半導体装置の製造方法において、ウェハ周辺部における前記有機系材料を硬化させる過程を備えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 , H01L 21/312

FI (2件)：

H01L 21/90 S , H01L 21/312 M

Fターム (15件)：

5F033AA12 , 5F033AA61 , 5F033AA64 , 5F033EA11 , 5F033EA25 , 5F033EA29 , 5F033EA32 , 5F033FA03 , 5F058AA02 , 5F058AA08 , 5F058AD05 , 5F058AD09 , 5F058AG09 , 5F058AG10 , 5F058AH02

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-257869
特開平1-248540
半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平6-089110 出願人：株式会社リコー

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