特許
J-GLOBAL ID：200903085051315139

半導体装置及びその製造方法

発明者：
山本 一郎

山本 一郎 について


出願人/特許権者：
NECエレクトロニクス株式会社

NECエレクトロニクス株式会社 について


代理人 (1件)： 西村 征生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-381216
公開番号（公開出願番号）：特開2004-214366
出願日： 2002年12月27日
公開日（公表日）： 2004年07月29日
要約：
【課題】ゲート絶縁膜の構成材料として高誘電率材料を用いつつ、EOT(酸化シリコン換算膜厚)の劣化を抑制すると共に高誘電率材料の結晶化を抑制して信頼性を向上させる。【解決手段】FET1は、シリコン基板3と、シリコン基板3上に形成された酸化シリコンからなるシード層4と、シード層4上に形成された非晶質のハフニウムアルミネートからなるゲート絶縁膜5と、ゲート絶縁膜5上に形成されたポリシリコンからなるゲート電極6とを有している。ゲート絶縁膜5は、厚さ方向に沿ってシリコン基板3側からゲート電極5へ向けて、ハフニウム濃度が単調減少し、アルミニウム濃度が単調増加するように設定されている。また、ゲート絶縁膜5で、下層側領域5aと上層側領域5bとの境界領域5cでは、ハフニウム濃度及びアルミニウム濃度は連続的に変化するように、形成されている。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
基板と、前記基板上に形成され金属酸化物からなる絶縁膜と、前記絶縁膜上に形成された電極とを備えてなるMIS型の半導体装置であって、 前記絶縁膜は、アルミニウム及びハフニウムを含むと共に、前記基板の近傍に形成されたハフニウムリッチな第1の絶縁領域と、前記電極の近傍に形成されたアルミニウムリッチな第2の絶縁領域とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L29/78 ,  H01L21/316
FI (2件)：
H01L29/78 301G ,  H01L21/316 M
Fターム (29件)：
5F058BA06 ,  5F058BA11 ,  5F058BA20 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BF02 ,  5F058BF24 ,  5F058BF27 ,  5F058BG01 ,  5F140AA00 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BE16 ,  5F140BF01 ,  5F140BF04 ,  5F140BG28 ,  5F140BG37 ,  5F140BK12 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01 ,  5F140CB04
引用特許：
審査官引用 (3件)

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