特許
J-GLOBAL ID：200903011625673663
アルミニウムをドープしたジルコニウム誘電体膜のトランジスタ構造およびその堆積方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-215186
公開番号（公開出願番号）：特開2001-077111
出願日： 2000年07月14日
公開日（公表日）： 2001年03月23日
要約：
【要約】【課題】 比較的高いアニーリング温度において、アモルファス状態である高誘電体膜を提供する。【解決手段】 二酸化ケイ素に対して高誘電率を有する薄膜は、三価の金属と、ジルコニウム(Zr)およびハフニウム(Hf)からなる群から選択される金属と酸素とを含み、それによってアモルファス高誘電体膜が形成される。
請求項（抜粋）：
二酸化ケイ素に対して高誘電率を有する薄膜であって、該薄膜は、三価の金属と、ジルコニウム(Zr)およびハフニウム(Hf)からなる群から選択される金属と、酸素とを含み、それによってアモルファス高誘電体膜が形成される、薄膜。
IPC (7件)：
H01L 21/316
, C23C 14/08
, C23C 14/14
, C23C 14/58
, C23C 16/06
, C23C 16/56
, H01L 29/78
H01L 21/316 X
, C23C 14/08 F
, C23C 14/14 D
, C23C 14/58 A
, C23C 16/06
, C23C 16/56
, H01L 29/78 301 G
