特許

J-GLOBAL ID：200903042255651854

半導体装置および非晶質高誘電体膜の堆積方法

発明者： 小坂 裕子 ,  山崎 隆浩 ,  金田 千穂子
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-193789
公開番号（公開出願番号）：特開2004-039813
出願日： 2002年07月02日
公開日（公表日）： 2004年02月05日
要約：

【課題】活性化熱処理で結晶化しない非晶質高誘電体膜を提供する。【解決手段】非晶質高誘電体膜2中の膜厚方向の組成分布を、基板1に近い側で高誘電率の金属酸化物を多く含有し、基板1から遠い側で結晶化を抑制する絶縁性酸化物を多く含有するようにする。結晶化が起こりやすい基板1から遠い側を、結晶化を抑制する絶縁性酸化物を多くして結晶化を抑制する。一方、結晶化しにくい基板1に近い側では、高誘電率の金属酸化物を多くして、非晶質高誘電体膜2の実効誘電率を高くする。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板上に形成された非晶質高誘電体膜を有する半導体装置において、 該非晶質高誘電体膜は、高誘電率を有する金属酸化物と、非晶質相の結晶化温度が該金属酸化物より高温の絶縁性酸化物とを含有する混合酸化物からなり、 該非晶質高誘電体膜中の膜厚方向の組成分布は、該金属酸化物の該絶縁性酸化物に対する組成比が該基板から離れるにつれ小さくなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L21/316 ,  C23C16/30 ,  H01L29/78

FI (3件)：

H01L21/316 X ,  C23C16/30 ,  H01L29/78 301G

Fターム (42件)：

4K030BA01 ,  4K030BA22 ,  4K030BA42 ,  4K030BA43 ,  4K030BA44 ,  4K030BB05 ,  4K030CA04 ,  4K030FA10 ,  4K030LA15 ,  5F058BA11 ,  5F058BC02 ,  5F058BC03 ,  5F058BC04 ,  5F058BD01 ,  5F058BD04 ,  5F058BD05 ,  5F058BD06 ,  5F058BF02 ,  5F058BF22 ,  5F058BJ01 ,  5F058BJ02 ,  5F058BJ04 ,  5F140AA24 ,  5F140BA01 ,  5F140BD01 ,  5F140BD05 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BD12 ,  5F140BD13 ,  5F140BD15 ,  5F140BD16 ,  5F140BE07 ,  5F140BE09 ,  5F140BE10 ,  5F140BG08 ,  5F140BH15 ,  5F140BK02 ,  5F140BK13 ,  5F140BK21 ,  5F140CB01 ,  5F140DB00

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-030791   出願人：株式会社東芝
• 薄膜構造のための多重膜、これを用いたキャパシタ及びそれらの製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-320000   出願人：三星電子株式会社
• 傾斜機能材料薄膜及び薄膜トランジスタ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-347180   出願人：松下電器産業株式会社
• 半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-127438   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置及び半導体装置の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-246882   出願人：株式会社東芝