特許
J-GLOBAL ID：200903085074997555
InGaN層を含む窒化ガリウム系半導体層の結晶成長方法および窒化ガリウム系発光素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-213273
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054847
出願日： 1997年08月07日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：
【要約】【課題】 比較的低温でInGaN層を形成した後に、基板の昇温に伴なってインジウムが解離することを防止し、かつ、InGaN層の結晶性の悪化を最小限にとどめることの出来る、InGaN層に続いて比較的低温で形成されるAlxGa1-x N層(0≦x≦1)層の組成と厚さの範囲を明らかにする。【解決手段】 基板温度600°C以上900°C以下で一層または複数層のInGaN層を形成した後に、連続して基板温度600°C以上900°C以下で一層または複数層のAlx Ga1-x N層(0≦x≦1)層を形成し、基板温度を900°C以上に昇温する。Alx Ga1-x N層(0≦x≦1)層の層数N、各層の厚さdi (i=1,...,N)、各層のアルミニウム組成xi (i=1,...,N)は、【数1】なる関係を満たすように設計する。
請求項（抜粋）：
InGaN 層を含む窒化ガリウム系半導体層の結晶成長方法であって、基板温度600°C以上900°C以下でIn<SB>x </SB>Ga<SB>1-x</SB>N 層(0<x≦1)を少なくとも一層含む、一層または複数層のIn<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N 層(0≦x≦1)を形成する工程と、前記工程と連続して基板温度600°C以上900°C以下でAl<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N層(0<x≦1)を少なくとも一層含む、一層または複数層のAl<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N層(0≦x≦1)を形成する工程と、基板温度を900°C以上にする工程とを、前記順序で少なくとも含み、かつ、前記Al<SB>x </SB>Ga<SB>1-x </SB>N層(0≦x≦1)の層数N、各層の厚さd<SB>i </SB>(i=1,...,N)、各層のアルミニウム組成x<SB>i </SB>(i=1,...,N)の間に、【数1】なる関係が満たされることを特徴とする窒化ガリウム系半導体層の結晶成長方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
引用特許：
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