磁気検知素子及びこの素子を用いた方位検知システム

発明者：
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：柏木慎史 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-002306
公開番号（公開出願番号）：特開2002-207071
出願日： 2001年01月10日
公開日（公表日）： 2002年07月26日
要約：

【要約】【課題】小型・軽量で高感度な磁気検知素子を提供する。【解決手段】元々薄膜技術等を用いて作製されるTMR素子2を用いて磁気検知素子1を構成することで、小型・軽量化を図るとともに、当該素子1の一面に磁性層4の抗磁力よりも低く、かつ、その異方性軸が磁性層4の異方性軸とは独立して設定された磁界感知補助用軟磁性膜7を備える構成とし、抗磁力の差を利用することで磁力検知を機能分離して行なえることから、センサとしての磁界感度が向上するようにした。

請求項（抜粋）：

磁性層を有するトンネル磁気抵抗効果素子又は巨大磁気抵抗効果素子を用い、磁気検知部がその膜面に対して垂直方向に電流を流すことにより磁気を検知する平板状の磁気検知素子であって、当該素子の一面に配されて抗磁力が前記磁性層の抗磁力よりも低く、かつ、その異方性軸が前記磁性層の異方性軸とは独立して設定された磁界感知補助用軟磁性膜を備えることを特徴とする磁気検知素子。

IPC (2件)：

G01R 33/09 , G01C 21/08

FI (2件)：

G01C 21/08 , G01R 33/06 R

Fターム (6件)：

2G017AA02 , 2G017AA03 , 2G017AA16 , 2G017AD51 , 2G017AD55 , 2G017AD63

引用特許：

審査官引用 (8件)

磁気抵抗効果素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-093348 出願人：三菱電機株式会社
特開平4-001907
特開昭63-016403

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