基板処理方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (5件)：曾我道照 , 曾我道治 , 古川秀利 , 鈴木憲七 , 梶並順
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-014374
公開番号（公開出願番号）：特開2005-136439
出願日： 2005年01月21日
公開日（公表日）： 2005年05月26日
要約：

【課題】基板に供給された湿潤オゾン含有ガスのオゾン量と蒸気量との比率を制御することにより、処理速度の飛躍的な向上を図ることができる基板処理方法および装置を提供する。【解決手段】処理液により湿潤した湿潤オゾン含有ガスを処理室1内の基板2の表面の被処理物に基板2の表面と対向して設けられたヘッダ5を通じて供給して被処理物を処理する基板処理装置であって、湿潤オゾン含有ガスは、処理室1とは別の空間内において、基板2の温度における飽和蒸気量より多い処理液の蒸気を含み、湿潤オゾン含有ガスの温度が基板温度より5°C〜15°C高くなるように制御されている。また、基板2とヘッダ5との間隔を1mm〜20mmである。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

処理液により湿潤した湿潤オゾン含有ガスを処理室内の基板表面の被処理物に、前記基板表面と対向して設けられたヘッダを通じて供給して被処理物を処理する湿潤オゾン含有ガスによる処理工程を備えた基板処理方法であって、前記湿潤オゾン含有ガスは、前記処理室とは別の空間内において、前記基板温度における飽和蒸気量より多い処理液の蒸気を含み、前記湿潤オゾン含有ガスの温度が基板温度より5°C〜15°C高くなるように制御されており、また前記基板と前記ヘッダとの間隔を1mm〜20mmとしたことを特徴とする基板処理方法。

IPC (5件)：

H01L21/304 , B08B3/08 , B08B3/10 , H01L21/027 , H01L21/308

FI (6件)：

H01L21/304 645B , H01L21/304 647Z , B08B3/08 Z , B08B3/10 Z , H01L21/308 G , H01L21/30 572B

Fターム (21件)：

3B201AA02 , 3B201AA03 , 3B201AB03 , 3B201AB14 , 3B201AB34 , 3B201BB22 , 3B201BB32 , 3B201BB72 , 3B201BB82 , 3B201BB92 , 3B201BB98 , 3B201BC01 , 3B201CA01 , 3B201CC01 , 3B201CC12 , 3B201CC13 , 3B201CD11 , 5F043BB27 , 5F043CC16 , 5F046MA05 , 5F046MA13

引用特許：

出願人引用 (1件)

基板処理方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-315068 出願人：クロリンエンジニアズ株式会社

審査官引用 (3件)

特開平4-302144
半導体基板表面からの有機汚染物の除去方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-331555 出願人：アンテルユニヴェルシテール・ミクロ-エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ
特開平3-136329

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