特許
J-GLOBAL ID：200903085087351824

半導体装置

発明者：
冨田 昌明

冨田 昌明 について


出願人/特許権者：
新電元工業株式会社

新電元工業株式会社 について


代理人 (1件)： 松尾 誠剛
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-126468
公開番号（公開出願番号）：特開2009-277806
出願日： 2008年05月13日
公開日（公表日）： 2009年11月26日
要約：
【課題】静特性を損なうことなく、逆方向サージ破壊耐量を従来よりも高くすることが可能な半導体装置を提供する。【解決手段】n-型炭化珪素エピタキシャル層104と、バリアメタル層106とを備え、n-型炭化珪素エピタキシャル層104の表面には、平面的に見てバリアメタル層106の端部を含むようにp型不純物領域108が形成され、p型不純物領域108の表面には、平面的に見てバリアメタル層108の一部を含むようにp++型不純物領域110が形成され、p型不純物領域108の表面におけるp++型不純物領域110の内側及び外側には、p++型不純物領域110に接するように、p+型不純物領域112が形成されている半導体装置1。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の炭化珪素層と、 前記炭化珪素層の表面上の一部に形成され、前記炭化珪素層との界面でショットキー接合を形成するバリアメタル層とを備え、 前記炭化珪素層の表面又は表面近傍には、平面的に見て前記バリアメタル層の端部の全部又は一部を含むように第1の第2導電型不純物領域が形成され、 前記第1の第2導電型不純物領域の表面又は表面近傍には、平面的に見て前記バリアメタル層の一部を含むように、前記第1の第2導電型不純物領域よりも高濃度の第2導電型不純物を含有する第2の第2導電型領域が形成され、 前記第1の第2導電型不純物領域の表面における前記第2の第2導電型不純物領域の内側及び/又は外側には、前記第2の第2導電型不純物領域に接するように、前記第2の第2導電型不純物領域よりも低濃度かつ前記第1の第2導電型不純物領域よりも高濃度の第2導電型不純物を含有する第3の第2導電型不純物領域が形成されていることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (2件)：
H01L29/48 D ,  H01L29/48 F
Fターム (8件)：
4M104AA03 ,  4M104BB14 ,  4M104FF02 ,  4M104FF13 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH18 ,  4M104HH20
引用特許：
出願人引用 (1件)
  • 高耐圧半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-049076   出願人：株式会社東芝
審査官引用 (4件)
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