特許
J-GLOBAL ID：200903011924606603

半導体装置及びその製造方法

発明者：
松野 吉徳

松野 吉徳 について

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杉本 博司

杉本 博司 について

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大塚 健一

大塚 健一 について

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黒田 研一

黒田 研一 について

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三上 登

三上 登 について


出願人/特許権者：
三菱電機株式会社

三菱電機株式会社 について


代理人 (3件)： 吉田 茂明 ,  吉竹 英俊 ,  有田 貴弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-331025
公開番号（公開出願番号）：特開2007-141986
出願日： 2005年11月16日
公開日（公表日）： 2007年06月07日
要約：
【課題】ショットキーダイオードの逆耐圧特性の低下を抑制することが目的とされる。【解決手段】当該半導体装置は、ショットキーダイオードであって、半導体基板11、半導体層12、電極51及び領域21,22を備える。半導体基板11は、N型の半導体からなる。半導体層12は、N型の半導体からなり、半導体基板11の表面上に積層されている。電極51は、金属からなり、半導体層12の半導体基板11とは反対側の表面12aに接触して設けられている。領域21,22は、P型の不純物を含む。領域21,22は、表面12aに露出して半導体層12内に設けられている。領域21は、電極51の端部に接触して設けられている。領域22は、少なくとも領域21に対して電極51とは反対側の位置に、領域21に接触して設けられている。領域21に含まれるP型の不純物の濃度は、領域22に含まれるP型の不純物の濃度の1.5〜2.5倍である。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
N型及びP型のいずれか一方である第1の伝導型を有する半導体層と、 金属からなり、前記半導体層の表面上に接触して設けられる電極と、 前記第1の伝導型とは種類が異なる第2の伝導型の不純物を含み、同じ前記表面に露出して前記半導体層内に設けられる第1及び第2の領域と を備え、 前記第1の領域の一部が、前記電極の端部に覆われて接触し、 前記第2の領域は、少なくとも前記第1の領域に対して前記電極とは反対側の位置で前記第1の領域に接触し、 前記第1の領域に含まれる前記不純物の濃度は、前記第2の領域に含まれる前記不純物の濃度の1.5〜2.5倍である、半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (1件)：
H01L29/48 E
Fターム (4件)：
4M104AA03 ,  4M104FF35 ,  4M104GG03 ,  4M104HH18
引用特許：
出願人引用 (3件) 審査官引用 (4件)
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