特許
J-GLOBAL ID：200903085119133344
位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスクの製造方法並びにサイドエッチング量の制御方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
北村 欣一 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-357616
公開番号（公開出願番号）：特開平11-184063
出願日： 1997年12月25日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】 単層又は多層の位相シフト膜により構成される位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスクにおいて、位相シフト膜の断面形状を改善すること、また、回路パターンの線幅コントロールを改善すること。【解決手段】 透明基板上にモリブデンシリサイドターゲットを不活性ガスと反応性ガスからなるガスによってスパッタし、単層又は多層の位相膜からなる位相シフトフォトマスクブランクス及び位相シフトフォトマスクを製造する際に、前記反応性ガスとして、窒素酸化物に酸素、窒素、又は酸素と窒素との混合物を添加し、その添加割合を調節したものを使用すること。
請求項（抜粋）：
透明基板上にモリブデンシリサイドターゲットを不活性ガスと反応性ガスからなるガスによってスパッタし、単層又は多層の位相シフト膜からなる位相シフトフォトマスクブランクスを製造する方法において、前記反応性ガスとして、窒素酸化物に酸素、窒素又は酸素と窒素との混合物を添加したものを使用してスパッタすることを特徴とする位相シフトフォトマスクブランクスの製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G03F 1/08 A
, C23C 14/34 N
