特許
J-GLOBAL ID：200903022995133279
位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスク
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 静男 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-030677
公開番号（公開出願番号）：特開平9-251206
出願日： 1993年12月22日
公開日（公表日）： 1997年09月22日
要約：
【要約】【課題】 簡単な膜構成により電子線描画時の電荷蓄積や静電気による帯電を防止できるハーフトーン型位相シフトマスクブランク及びこれを素材としたハーフトーン型位相シフトマスクを提供する。【解決手段】 透明基板上に光半透過膜を有し、この光半透過膜が、遷移金属とケイ素と酸素および/または窒素とを主な構成要素とする膜からなり、かつ前記光半透過膜中にケイ素が15〜80原子%の割合で含有されているハーフトーン型位相シフトマスクブランク、およびこの位相シフトマスクブランクにおける光半透過膜に、光透過部と光半透過部とからなるマスクパターンを形成してなるハーフトーン型位相シフトマスク。
請求項（抜粋）：
透明基板上に光半透過膜を有し、この光半透過膜が、遷移金属とケイ素と酸素および/または窒素とを主な構成要素とする膜からなり、かつ前記光半透過膜中にケイ素が15〜80原子%の割合で含有されていることを特徴とするハーフトーン型位相シフトマスクブランク。
IPC (2件)：
FI (3件)：
G03F 1/08 A
, H01L 21/30 502 P
, H01L 21/30 528
