特許
J-GLOBAL ID：200903098428625566

半導体装置及びその製造方法

発明者：
久保 裕子

久保 裕子 について

, 
米田 健司

米田 健司 について


出願人/特許権者：
松下電子工業株式会社

松下電子工業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-310463
公開番号（公開出願番号）：特開平10-209449
出願日： 1997年11月12日
公開日（公表日）： 1998年08月07日
要約：
【要約】【課題】 薄膜化された絶縁膜を有するMIS構造の半導体装置において、FNトンネル電流の印加に伴うトラップの発生を確実に抑制できるようにする。【解決手段】 上下方向に順次形成されてなる半導体層、絶縁膜及び導電膜を有する半導体装置において、絶縁膜は、窒素原子を含む二酸化シリコン膜よりなり、二酸化シリコン膜における半導体層側の界面の近傍に窒素原子の濃度分布のピークを有している。窒素原子の濃度分布のピークにおける窒素原子の濃度は1.5原子%以上で且つ5原子%以下である。
請求項（抜粋）：
上下方向に順次形成されてなる半導体層、絶縁膜及び導電膜を有する半導体装置において、前記絶縁膜は、窒素原子を含む二酸化シリコン膜よりなり、前記二酸化シリコン膜における前記半導体層側の界面の近傍に窒素原子の濃度分布のピークを有していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/318
FI (2件)：
H01L 29/78 301 G ,  H01L 21/318 C
引用特許：
審査官引用 (7件)
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