半導体装置およびその作製方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-352183
公開番号（公開出願番号）：特開2006-191001
出願日： 2005年12月06日
公開日（公表日）： 2006年07月20日
要約：

【課題】不揮発性であって、作製が簡単であり、追記が可能な記憶装置および半導体装置を安価で提供することを課題とする。【解決手段】基板上に設けられた、第1のトランジスタと第2のトランジスタとを含む素子形成層と、素子形成層上に設けられた記憶素子と、記憶素子の上方に設けられたセンサ部とを有し、記憶素子は、第1の導電層と有機化合物層と第2の導電層との積層構造を有し、第1の導電層と第1のトランジスタとが電気的に接続され、センサ部と第2のトランジスタが電気的に接続されるように設ける。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に設けられた、第1のトランジスタと第2のトランジスタとを含む素子形成層と、前記素子形成層上に設けられた記憶素子と、前記記憶素子の上方に設けられたセンサ部とを有し、前記記憶素子は、第1の導電層と有機化合物層と第2の導電層との積層構造を有し、前記第1の導電層と前記第1のトランジスタとが電気的に接続され、前記センサ部と前記第2のトランジスタが電気的に接続されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 27/10 , H01L 29/786 , G06K 19/07 , G06K 19/077 , H01L 27/28 , H01L 51/05

FI (7件)：

H01L27/10 461 , H01L27/10 431 , H01L27/10 481 , H01L29/78 613B , G06K19/00 H , G06K19/00 K , H01L27/10 449

Fターム (100件)：

5B035BB09 , 5B035CA23 , 5F083AD02 , 5F083CR14 , 5F083CR15 , 5F083CR17 , 5F083EP01 , 5F083FZ07 , 5F083HA02 , 5F083HA10 , 5F083JA36 , 5F083JA37 , 5F083JA38 , 5F083JA39 , 5F083JA56 , 5F083JA58 , 5F083JA60 , 5F083LA03 , 5F083LA04 , 5F083LA05 , 5F083PR23 , 5F083ZA12 , 5F110AA30 , 5F110BB01 , 5F110BB04 , 5F110BB08 , 5F110CC02 , 5F110CC05 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD03 , 5F110DD05 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD15 , 5F110DD17 , 5F110EE01 , 5F110EE02 , 5F110EE03 , 5F110EE04 , 5F110EE05 , 5F110EE09 , 5F110EE14 , 5F110EE15 , 5F110EE31 , 5F110EE44 , 5F110EE45 , 5F110FF01 , 5F110FF02 , 5F110FF03 , 5F110FF04 , 5F110FF09 , 5F110FF27 , 5F110FF28 , 5F110FF30 , 5F110GG02 , 5F110GG03 , 5F110GG05 , 5F110GG12 , 5F110GG13 , 5F110GG24 , 5F110GG43 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HJ01 , 5F110HJ12 , 5F110HJ13 , 5F110HJ23 , 5F110HK05 , 5F110HL01 , 5F110HL02 , 5F110HL03 , 5F110HL04 , 5F110HL06 , 5F110HL07 , 5F110HL11 , 5F110HL22 , 5F110HL23 , 5F110HL24 , 5F110HM15 , 5F110NN02 , 5F110NN03 , 5F110NN23 , 5F110NN24 , 5F110NN27 , 5F110NN34 , 5F110NN35 , 5F110NN71 , 5F110PP01 , 5F110PP02 , 5F110PP03 , 5F110PP10 , 5F110PP29 , 5F110PP34 , 5F110PP35 , 5F110QQ16 , 5F110QQ19 , 5F110QQ21 , 5F110QQ28

引用特許：

審査官引用 (8件)

ICカード及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-089678 出願人：セイコーエプソン株式会社
有機物双安定デバイス及び有機物メモリセル
公報種別：公表公報出願番号：特願2002-540158 出願人：ザリージェンツオブザユニバーシティオブカリフォルニア
密着型エリアセンサ及び密着型エリアセンサを備えた表示装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2001-019635 出願人：株式会社半導体エネルギー研究所

全件表示

前のページに戻る