特許
J-GLOBAL ID：200903085378691185

多波長面発光半導体レーザ装置の製造方法

発明者：
岩井 則広

岩井 則広 について

, 
向原 智一

向原 智一 について


出願人/特許権者：
古河電気工業株式会社

古河電気工業株式会社 について


代理人 (1件)： 長門 侃二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-019375
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220206
出願日： 1998年01月30日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：
【要約】【課題】 発振波長の異なる半導体レーザを備えた多波長面発光レーザ装置を簡易にして低コストに、しかも波長制御性良く製造する製造方法を提供する。【解決手段】 n型半導体基板上にn型多層膜反射鏡、下側クラッド層、活性層、および上側クラッド層を順に積層した後(第1工程)、上側クラッド層上にマスク幅の異なる複数のマスクを形成し、これらのマスクを用いて膜厚の異なる複数の波長チューニング層をそれぞれ選択成長させる(第2工程)。その後、こらの波長チューニング層上にp型の多層膜反射鏡を形成し(第3工程)、上記各波長チューニング層を含む半導体レーザ領域をそれぞれメサ加工し、電極形成して共振器長を異ならせた面発光半導体レーザを実現する。
請求項（抜粋）：
第1導電性の半導体基板上に第1導電性の多層膜反射鏡、下側クラッド層、活性層、および上側クラッド層を順次結晶成長させる第1の工程と、次いで上記上側クラッド層上にマスク幅の異なる複数のマスクを形成し、これらのマスクを用いて膜厚の異なる複数の波長チューニング層を選択成長させる第2の工程と、しかる後、前記マスクを除去した後、前記複数の波長チューニング層上に前記半導体基板とは導電性を異にする第2導電性の多層膜反射鏡を形成する第3の工程とを備えたことを特徴とする多波長面発光半導体レーザ装置の製造方法。
引用特許：
審査官引用 (4件)
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