特許
J-GLOBAL ID：200903085397614442

半導体装置の製造方法

発明者：
柴田 和孝

柴田 和孝 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-235619
公開番号（公開出願番号）：特開2001-060591
出願日： 1999年08月23日
公開日（公表日）： 2001年03月06日
要約：
【要約】【課題】薄型の半導体装置を簡単な製造工程で製造する。【解決手段】ウエハWの表面1に突起電極Tが形成され、その後に、ウエハWの表面1の全域に保護樹脂層3が形成される。その後、ウエハWの裏面研削によりウエハWが薄型化され、さらに、その表面1側の研削により、突起電極Tの頭部が露出させられる。その後に、ダイシングソー5を用いて、半導体チップの個片への切り出しが行われる。
請求項（抜粋）：
半導体基板の表面に突起電極を形成する電極形成工程と、前記突起電極が形成された半導体基板の表面の全域に保護樹脂層を形成する工程と、前記半導体基板の裏面を研磨または研削することにより、前記半導体基板を薄型化する裏面研削工程と、前記半導体基板の表面側を研磨または研削することにより、前記突起電極を露出させる表面研削工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/304 631 ,  H01L 21/301
FI (3件)：
H01L 21/88 K ,  H01L 21/304 631 ,  H01L 21/78 A
Fターム (8件)：
5F033HH07 ,  5F033HH13 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ46 ,  5F033RR21 ,  5F033SS21 ,  5F033VV07 ,  5F033XX33
引用特許：
審査官引用 (3件)
  • 半導体装置及びその製造方法
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-153650   出願人：日本電気株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-211207   出願人：ソニー株式会社
  • 特開平2-153527

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